Radiator termic IGBT de lipit din aluminiu extrudat personalizat

Datorită frecvenței sale mari de comutare, absenței circuitului tampon, protecției ușoare și fiabilității excelente, radiatoarele IGBT devin din ce în ce mai importante pe piața electronică.Numeroase metode de circuite integrate, inclusiv litografie fină, implantare ionică și epitaxie, au fost folosite pentru a atinge aceste niveluri înalte de performanță.Performanța radiatorului modulului Power IGBT a crescut semnificativ în ultimii ani;acum poate susține tensiuni de peste 1500 V și are curenți nominali de sute de amperi.

Caracteristicile radiatorului modulului IGBT de putere cu canal p sunt similare cu cele ale IGBT cu canal n, deoarece dispozitivele IGBT au caracteristici pozitive ale diodei PIN.Acest lucru facilitează adoptarea structurilor complementare în aplicații, ceea ce extinde utilizarea dispozitivelor în domeniul tehnologiei de control ca și digital.Capacitatea IGBT de a tolera șocul curent atât în ​​starea de pornire, cât și în starea de scurtcircuit este cea mai mare caracteristică a sa.Latența sa scurtă de oprire face conexiunea în serie simplă și conexiunea paralelă fără probleme.

Oferim modele personalizate pe lângă radiatoarele noastre convenționale pentru a satisface nevoile unice ale clienților noștri.Împreună, dumneavoastră și echipa noastră de ingineri calificați puteți crea un radiator unic care să satisfacă toate cerințele dumneavoastră.

Pentru informații suplimentare, contactați-ne(https://www.cncyaotai.com/contact-us/) chiar acum!